Нестерова М.Г.
Изобретатель Нестерова М.Г. является автором следующих патентов:
Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при получении методом пиролитического синтеза эпитаксиальных структур для изготовления интегральных схем и приборов СВЧ - электроники. На полуизолирующих подложках наращивают буферный полуизолирующий слой арсенида галлия, а затем наращивают легированные низкоомные слои. Наращивание проводят в среде водорода в при...
1771335Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия
Использование: изготовление полупроводниковых структур для опто- и СВЧ - электронных приборов. Сущность изобретения: подложки арсенида галлия, нагретые до 540 - 640°С при давлении 1 - 5 мм рт. ст., подвергают полирующему травлению в среде водородной плазмы высокочастотного тлеющего разряда с добавкой арсина, затем выращивают слои металлоорганических соединений гидридным методом. Уменьшае...
1800856