РОЕНКОВ АЛЕКСАНДР ДМИТРИЕВИЧ

  Использование: Полупроводниковая технология, оптоэлектроника. Сущность изобретения. Источник света содержит подложку из карбида кремния. На подложке последовательно расположены слой SIC политипа 4Н n-типа проводимости с концентрацией азота от 51018 до V1019 , второй слой SIC политипа 4Н n-типа проводимости и слой SIC р-типа проводимости политипа 4Н, легированный AI. Второй слой S...