Гоголадзе Д.Т.

 Использование: полупроводниковая техника, фотоприемники. Сущность: структуру (С) получают методом жидкофазной эпитаксии. Подложку InP сначала отжигают при 300 10 °С, затем при температуре выше и равной температуре эпитаксии под защитной пластиной InP. Процесс эпитаксии ведут при 710 + 10°С. Получают слои Jn0,53Ga0,47As с концентрацией носителей n < 11015 см-3 , имеющие повышенную фото...