ЦЬОЛКОВСКИЙ ТЕОДОЗИЙ ИВАНОВИЧ

  Использование: для полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: пленки получают термическим разложением диметилили диэтилцинка в присутствии окислителя, в качестве которого применяют водород-кислородную смесь и процесс проводят в режиме ее горения при давлении паров 60-80 мм рт.ст. и температуре подложки 20-50°С. 1 табл. сл с СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕ...