Безмен В.П.

 Использование: относится к области изготовления оптоэлектронных приборов, в частности кремниевых фотопреобразователей с p-n-переходом. Сущность: способ включает формирование неоднородно залегающего перехода в полупроводниковой пластине методом двойной диффузии. На первом этапе осуществляют диффузию по всей пластине, а на втором - локальную диффузию в подконтактные области через маску из п...