Левицкая С.К.

 Использование: в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем для изготовления твердых планарных источников диффузии фосфора, применяемых для кремниевых пластин диаметром 75 мм при температурах диффузии до 1050°С с целью повышения выхода годных источников при изготовлении и увеличения срока их службы. Сущность изобретения: перед нанесением диффузанта на термостойкую под...