АНДРЕЕВА ЕЛЕНА ЕВГЕНЬЕВНА

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к мощным биполярным транзисторам. Цель изобретения - повышение устойчивости транзистора к вторичному пробою при повышенных значениях напряжения коллектор. - эмиттер. Конструкция транзистора содержит множество сильнолегированных полосок 1, находящихся вдоль зубца на расстоянии друг от друга и соединенных общей слаболегир...