ГАТИЛОВ МИХАИЛ ЮРЬЕВИЧ

  Сущность изобретения: теллурид кадмия осаждают на нагретую до 550 - 600°С подложку путем пропускания через фильтр паров теллурида кадмия. В зону испарения теллурида кадмия подают пары диметилкадмия в токе с водородом. При этом количество кадмия, образующегося при распаде диметилкадмия, составляет 1,2 - 1,5 моля на моль избыточного теллурида. Продукт получают в виде поликр...