Химко Г.А.
Изобретатель Химко Г.А. является автором следующих патентов:
![Способ плазмохимического осаждения пленок фосфоросиликатного стекла Способ плазмохимического осаждения пленок фосфоросиликатного стекла](/img/empty.gif)
Способ плазмохимического осаждения пленок фосфоросиликатного стекла
Использование: технология электронной техники, для изготовления межуровневого диэлектрика и пассивирующих покрытий. Сущность изобретения: полупроводниковые подложки со структурами интегральных схем размещают в реакторе, откачивают реактор, вводят в реактор смесь моносилан, закись азота, фосфин, инертный газ и аммиак, осаждают пленку фосфорсиликатного стекла в плазме ВЧ и СВЧ разряда при т...
1795829![Межэлементные соединения интегральных схем Межэлементные соединения интегральных схем](/img/empty.gif)
Межэлементные соединения интегральных схем
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении микросхем в негерметичном корпусе (пластмассовом) или бескорпусных микросхем. Рисунок межэлементных соединений интегральных схем выполнен на поверхности полупроводниковой пластины со сформированными в ней активными и пассивными элементами, закрыт пассивирующим покрытием из фосфоросиликатного стекла...
1797407![Способ изготовления межэлементных соединений интегральных схем Способ изготовления межэлементных соединений интегральных схем](/img/empty.gif)
Способ изготовления межэлементных соединений интегральных схем
Назначение: микроэлектроника. Сущность изобретения: при вскрытии окон к контактным площадкам и областям для разделения пластин размеры окон выбирают такими, чтобы верхний пассивирующий слой нитрида кремния перекрывал нижний пассивирующий слой фосфоросиликатного стекла на 0,2 - 5 мкм. 1 з.п. ф-лы. 1 ил., 2 табл. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изго...
1799203