Казакевич М.Я.

  Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет повышения однородности распределения легирующей примеси в эпитаксиальном слое и уменьшения в нем плотности дефектов кристаллической решетки. Из слитка монокристаллического кремн...