Квасов Н.Т.

 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Способ включает нанесение диэлектрической пленки на химически обработанную кремниевую подложку n- или p-типа проводимости, при этом до и после нанесения диэлектрической пленки подложку подвергают воздействию изгибных колебаний частотой 0,6 - 1,6 кГц при акустическом давлении 0,1 - 0,2 Па в...