Виноградов Р.Н.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров интегральной схемы за счет увеличения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов. Это достигается тем, что формирование высокоомной области коллектора p-n-p -транзистора производится диффузией примеси p-типа и...

 Изобретение относится к электронике, а именно к предварительным усилителям для съема сигналов с детекторов ионизирующих излучений в схемах амплитудной спектрометрии, для временных измерений в ядерной физике, в электронике для датчиков и фотоприемников, медицинской электронике, аудиотехнике и др. Технический результат заключается в увеличении коэффициента усиления по напряжению и увеличени...