БОБЧЕНОК ЮРИЙ ЛЕОНИДОВИЧ

  Использование: в электронографии и электронной микроскопии, в частности при исследованиях структуры приповерхностных слоев металлов, полупроводников, диэлектриков , керметов и переходных слоев указанных материалов. Сущность изобретения: для полного сохранения поверхности исследуемой стороны образца путем защиты от воздействия травителл при ее травлении .создают избыточное давлени...

  Использование: в области силовой оптики , в частности в лазерной технике. Сущность изобретения: в подложку с нанесенной просветляющей пленкой имплантируют ионы кремния. При этом ионную имплантацию проводят на глубину 0,04- 0,08 толщины просветляющей пленки, после чего отжигают при 470-570 К в течение 600-2400 с. 1 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)5 G 02 В 1...