Шутова Р.Ф.

 Использование: изобретение относится к электронной технике и позволяет изготавливать низкоомные толстопленочные резисторы на основе RuO2 и стеклосвязующего. Цель - расширение диапазона величин ТКС в отрицательную область, уменьшение его абсолютной величины и снижение величин удельного поверхностного сопротивления - достигается тем, что в стеклосвязующее, содержащее BaO, SiO2, B2O3, Al2O3,...

 Использование: для изготовления толстопленочной межслойной изоляции, совместимой с резисторами на основе соединений рутения. Сущность изобретения: стекло содержит следующие компоненты, мас.%: оксид кремния SiO2 ; оксид алюминия Al2O3 ; оксид кальция БФ CaO 12 - 35; оксид бора B2O3 ; фтор F . Кроме того стекло может содержать оксид кобальта Co2O3 мас.%. Характеристика стекла: сопротивление...

  Использование: изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к щелочесодержащим стекловидным материалам, которые могут быть использованы в качестве постоянного стеклосвязующего при изготовлении толстопленочных резисторов на основе ретенийсодержащих соединений. Сущность изобретения состоит в том, что известное стеклосвязующее, включающее оксиды кремния; оксид цинка и оксид...

 Использование: изобретение относится к стекловидным материалам, предназначенным для использования в качестве стеклосвязующего в токопроводящих пастах толстопленочной технологии, преимущественно для толстопленочных резисторов. Стеклосвязующее относится к стеклообразующей системе PbO-B2O3-SiO2-Al2O3. Сущность изобретения состоит в том, что в известном стеклосвязуещем для паст толстопленочны...

 Использование: для стеклосвязующих толстопленочных резистивных элементов и может быть использовано в электро-, радиотехнической, электронной и других смежных отраслях промышленности. Сущность изобретения: стекло содержит в мас.%: оксид кремния 8...48 БФ SiO2, оксид марганца 32...61 БФ МnО, оксид бора 4...47 БФ B2O3, оксид меди 1...8 БФ CuO, оксид алюминия 7...21 Al2O3, оксид ванадия 1...8...

 Использование: при изготовлении межслойной изоляции в толстопленочных многоуровневых МДП-структурах, совместимых с прецизионными резисторами на основе соединений рутения. Сущность изобретения: стекло для ситаллоцемента содержит, мас.%: оксид кремния 25,0 - 35,0 БФ SiO2, оксид свинца 10,0 - 20,0 БФ PbO, оксид кальция 1,0 - 10,0 БФ CaO, оксид стронция 1,0 - 10,0 БФ SrO, фтор 1,0 - 5,0 БФ F'...

 Использование: изготовление толстопленочных серебросодержащих проводников, совместимых с рутенийсодержащими резисторами при повышении адгезии проводников к подложке из алюмооксидной керамики. Сущность изобретения: проводящая композиция содержит компоненты при следующем соотношении, мас.%: Ag 70 - 76; Pd 15 - 25; Стекловязуюшее 3 - 10; при содержании в стеклосвязующем компонентов, мас.%: P...