Красников Г.Я.

 Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для производства кремниевых интегральных схем. По сравнению с прототипом изобретение позволяет сократить общую длительность процесса окисления, включая загрузку и выгрузку кремниевых подложек, в 4 - 5 раз. Это связано с тем, что в прототипе охлаждение подложек после окисления осуществляется газом, проходящим через весь...

 Сущность изобретения: способ включает формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки толщиной h 2.5 d, где d - толщина проводников, травление диэлектрической пленки жидкостным методом на глубину, равную толщине проводников, удаление фоторезиста и повторное травление диэлектрической пленки на глу...

 Изобретение относится к технологии производства интегральных микросхем и позволяет производить контроль качества исходных кремниевых пластин на начальном этапе. Целью изобретения является осуществление возможности прогнозирования количества годных приборов заданного типа. Предлагаемый способ контроля пригодности монокристаллических кремниевых пластин включает в себя облучение пластин ИК-с...

 Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ плазменного травления контактных окон в изолирующих и пассивирующих слоях диэлектриков на основе кремния, включает обработку слоя диэлектрика в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 300 до 1200 Па и плотности ВЧ-мощности от 4,0 до 8,0 Вт/см2 в плазме четырехкомпонентной смеси при следующем соо...

  Использование: изобретение может быть использовано в производстве полупроводниковой микроэлектроники. Сущность изобретения: способ обработки поверхности полупроводниковых пластин осуществляют в непрерывном цикле. Способ включает очистку полупроводниковых пластин в проточной емкости с моющим раствором на основе серной кислоты, а также очистку раствора и его активацию в электрохимической я...

 Использование: в области производства матриц для жидкокристаллических экранов и решает задачу обеспечения надежности функционирования активной матрицы при появлении дефектов в шинах данных, вызывающих отсутствие сигнала на шинах данных. Сущность изобретения: в активной матрице, содержащей множество адресных шин, расположенных параллельно друг другу, множество шин данных, расположенных пер...

 Использование: микроэлектроника, магнитоуправляемые интегральные схемы, ячейки памяти. Сущность изобретения: магнитоуправляемая логическая ячейка содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, восемь легированных областей второго типа проводимости, попарно образующих стоковые и истоковые области четырех полевых транзисторов, диэлектрическую пленку на поверхности подложки с...

 Использование: БиКМОП-приборы, у которых на одном кристале формируются комплементарные биополярные и полевые транзисторы, а также технология изготовления вертикальных NPN и PNP полевых транзисторов и комплементарных полевых транзисторов. Сущность изобретения: конструкция БиКМОП-прибора позволяет существенно снизить размеры транзисторов благодаря использованию самосовмещенной технологии фо...

 Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности металлических изделий и может быть использовано в различных отраслях промышленности, в которых предъявляются высокие требования к чистоте поверхности. Очищаемые поверхности металлов обрабатывают раствором серной кислоты с концентрацией 14 - 18 М, подвергнутой электрохимической активации, с последующей их промывко...

 Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности. Технический результат, получаемый от реализации способа заключается в повышении эффективности очистки полупроводниковых пластин, а также обеспечении полной рекуперации травильного раствора. Сущность изобрет...

 Использование: в электронной технике, в частности для электролюминесцентных экранов, индикаторов, светодиодов и т.д. Сущность: ЭЛУ состоит из электронного инжектирующего слоя из сплава на основе алюминия, активного люминесцентного слоя из поли(2-метокси-5-(2'-этилгексилокси)-1,4-фениленвинилена), дырочного транспортного слоя на основе р-допированного полианилина и дырочного инжектирующего...

 Использование: в электронной технике, в частности для электролюминесцентных экранов, индикаторов и т.д. Сущность изобретения устройство содержит подложку из монокристалла кремния, электронный инжектирующий слой (ЭИС) из пористого кремния, сформированного из приповерхностной части подложки из монокристаллического кремния, активный электролюминесцентный слой и дырочный инжектирующий слой (Д...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник содержит диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены области истока и стока, снабженные электродами и выполненные из материала с металлической проводимостью, полупроводниковую подзатворную область, размещенную между областями истока и стока, слой подзатворного...

 Использование: электронная промышленность. Сущность изобретения: способ жидкостного снятия слоев полимеров с поверхности изделий включает электрохимическую обработку водного раствора серной кислоты, воздействие полученного активированного раствора на поверхность пластин, повторную электрохимическую обработку и очистку раствора. Используют серную кислоту с концентрацией от 15 до 18 М, обра...

 Использование: электронная промышленность. Сущность изобретения: установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, включающая систему для жидкостной химической очистки пластин, электрохимическую ячейку для активациии и очистки раствора в виде анодной и катодной камер, разделенных между собой полупроницаемой мембраной, а также систему для обес...

 Использование: микроэлектроника, а именно технология БиКМОП приборов, у которых на одном кристалле формируются комплиментарные биполярные и полевые транзисторы. Сущность изобретения: в способе изготовления БиКМОП прибора за счет того, что оставляют первый слой поликремния и подзатворный окисел в карманах полевых транзисторов с перекрытием слоем поликремния полевого окисла на величину, рав...

 Использование: микроэлектроника, производство СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в структуре - кремний на изоляторе для СБИС, содержащей первый и второй кремниевые слои, диэлектрический слой и слой силицидов металлов между ними, изолированные вторым диэлектрическим слоем области в кремниевом слое, предназначенном...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. Предлагаемый способ получения диоксида кремния включает формирование последнего при пониженном давлении с добавками хлорсодержащего вещества, улучшающего электрофизические параметры диоксида кремния. 2 с. и 4 з.п.ф-лы. Областью применения изобретения является микроэлектроника, а им...

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных или МОП транзисторах. Сущность изобретения: процесс реактивного ионного травления поликремния в плазме гексафторида серы (SF6) и кислорода при содержании кислорода в газовой смеси 25-35 об.% в два этапа при разных уровнях мощности (1,2-1,4 Вт/см2 и 0,5-0,7 Вт/см2) с использованием датчика окончания процесса...

 Использование: в микроэлектронике, при изготовлении интегральных схем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления мощного сильноточного МОП транзистора включает операции формирования областей стока 1-го типа проводимости МОП транзистора, маскирующего диэлектрика на поверхности пластины, углублений для выделения на пластине монокристаллических участков, тонкого...

 Изобретение относится к способу изготовления в едином технологическом цикле микроэлектромеханического устройства и электронной схемы управления. Способ включает формирование на полупроводниковой пластине изоляционного слоя оксида методом окисления в сухом кислороде, осаждение защитной пленки LPCVD нитрида кремния. Осаждение первого слоя LPCVD поликремния, формирование с помощью литографии...