Казуров Б.И.
Изобретатель Казуров Б.И. является автором следующих патентов:
![Способ изготовления интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией Способ изготовления интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией](/img/empty.gif)
Способ изготовления интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем,...
1060066![Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами](/img/empty.gif)
Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной приме...
1178269![Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами](/img/empty.gif)
Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического крем...
1215550![Цветная жидкокристаллическая дисплейная панель с активной матрицей Цветная жидкокристаллическая дисплейная панель с активной матрицей](/img/empty.gif)
Цветная жидкокристаллическая дисплейная панель с активной матрицей
Применение: изобретение относится к производству цветных жидкокристаллических дисплейных панелей с активной матрицей. Сущность изобретения: в цветной жидкокристаллической дисплейной панели с активной матрицей, содержащей прозрачную изолирующую подложку, множество адресных шин, сформированных на прозрачной изолирующей подложке параллельно друг другу, множество шин данных, сформированных н...
2008713![Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов](/img/empty.gif)
Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов
Изобретение относится к автоматике и может быть использовано в системах коллективного пользования на ЖКЭ. Сущность изобретения: устройство содержит горизонтальные адресные шины и вертикальные шины данных, элементы отображения, образованные МДП-транзисторами и электродами отображения, проводящие перемычки между адресными шинами и шинами данных. Изобретение обеспечивает повышение надежност...
2015576![Жидкокристаллическая цветная дисплейная панель с активной матрицей Жидкокристаллическая цветная дисплейная панель с активной матрицей](/img/empty.gif)
Жидкокристаллическая цветная дисплейная панель с активной матрицей
Использование: в области производства жидкокристаллических цветных дисплейных панелей с активной матрицей. Сущность изобретения: в предлагаемую жидкокристаллическую цветную дисплейную панель с активной матрицей введена дополнительная адресная шина, строки элементов изображения матрицы образуют периодически повторяющиеся группы из двух строк, причем в первой из строк каждой группы стоки в...
2018892![Способ изготовления тонкопленочных транзисторов Способ изготовления тонкопленочных транзисторов](/img/empty.gif)
Способ изготовления тонкопленочных транзисторов
Использование: в технологии изготовления изделий электронной техники. Сущность изобретения: для повышения стабильности, надежности и улучшения характеристик тонкопленочных резисторов на основе а-Si:H, предназначенных для использования в качестве коммутирующих элементов в жидкокристаллических матричных экранах, проводят облучение ультрафиолетовым излучением с энергией 3 - 5 эВ и дозой 1018...
2035800![Жидкокристаллическая цветная дисплейная панель с активной матрицей Жидкокристаллическая цветная дисплейная панель с активной матрицей](/img/empty.gif)
Жидкокристаллическая цветная дисплейная панель с активной матрицей
Применение: изобретение может использоваться в качестве жидкокристаллической цветной дисплейной панели с активной матрицей, имеющей резервирование элементов. Сущность изобретения: устройство содержит: шины 1 данных, адресные шины 2, элементы изображения, состоящие из двух электродов изображения 3,4 и четырех переключающих МДП-транзисторов 5 8. В описании приведены примеры технологической...
2042973![Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов](/img/empty.gif)
Активная отображающая матрица для жидкокристаллических экранов
Использование: в области производства матриц для жидкокристаллических экранов и решает задачу обеспечения надежности функционирования активной матрицы при появлении дефектов в шинах данных, вызывающих отсутствие сигнала на шинах данных. Сущность изобретения: в активной матрице, содержащей множество адресных шин, расположенных параллельно друг другу, множество шин данных, расположенных пер...
2066074![Способ изготовления тонкопленочных транзисторов матриц жидкокристаллических экранов Способ изготовления тонкопленочных транзисторов матриц жидкокристаллических экранов](/img/empty.gif)
Способ изготовления тонкопленочных транзисторов матриц жидкокристаллических экранов
Использование: изобретение относится к оптоэлектронике. Сущность: на прозрачной подложке формируют затворные электроды, затворный диэлектрик и слой аморфного гидрогенизированного кремния. По рисунку структуры наносят контактный слой легированного кремния. По маске в виде островков фоторезиста формируют области контактов к слою аморфного гидрогенизированного кремния и электроды истока и ст...
2069417![Бикмоп-прибор и способ его изготовления Бикмоп-прибор и способ его изготовления](/img/empty.gif)
Бикмоп-прибор и способ его изготовления
Использование: БиКМОП-приборы, у которых на одном кристале формируются комплементарные биополярные и полевые транзисторы, а также технология изготовления вертикальных NPN и PNP полевых транзисторов и комплементарных полевых транзисторов. Сущность изобретения: конструкция БиКМОП-прибора позволяет существенно снизить размеры транзисторов благодаря использованию самосовмещенной технологии фо...
2106719![Жидкокристаллический экран с активной матрицей Жидкокристаллический экран с активной матрицей](/img/empty.gif)
Жидкокристаллический экран с активной матрицей
Экран содержит первую изолирующую подложку, множество адресных шин, сформированных на первой изолирующей подложке параллельно друг другу, множество шин данных, сформированных на первой изолирующей подложке перпендикулярно адресным шинам, множество элементов изображения, сформированных на первой изолирующей подложке в виде матрицы строк и столбцов, расположенных между адресными шинами данн...
2118839