Думаневич А.Н.

 Симистор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, n-р-n-р-n-типа, содержащий контакты основного токосъема на основных поверхностях структуры, под которыми расположены внешние слои n- и р-типа проводимости, и на одной из основных поверхностей расположен управляющий электрод, присоединенный к области р-типа проводимости с дополнительными областями...

 1. ФОТОСИМИСТОР на основе многослойной структуры, например, n-p-n-p-n типа, содержащий зашунтированные внешние n-эмиттерные слои, контакты основного токосъема, дополнительные n-эмиттерные области, частично металлизированные, участок базы, управляемый световым потоком, по крайней мере, с одной стороны структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости прибора к высоким скоростям...

 1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения раб...

 Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 - 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в...

 1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м. 2. Способ изготовления полупроводниковог...

 Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов, более конкретно к симметричным тиристорам. Цель изобретения - обеспечение управления напряжением переключения в любом направлении током одного порядка, а также повышение динамических параметров и рабочей температуры. Сущность изобретения состоит в ограничении участка нижнего n-эмиттерного слоя, расположенного под...

  Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на кремнии, а именно к диффузионным способам изготовления тиристоров. Целью изобетения является улучшение параметров многослойных структур за Счет повышения воспроизводимости параметров диффузионных слоев при формировании изолированных внутренних областей. Данный способ включает шлифовку кремниевых п...

 Использование: силовые полупроводниковые приборы, а именно конструкции тиристора. Сущность изобретения: тиристоры на основе p-n-p-n-структуры снабжены распределенной шунтировкой в виде цилиндров в эмиттерном слое, расположенных в вершинах равносторонних треугольников. Расстояние между шунтами выбраны в зависимости от удельного сопротивления исходной кремниевой пластины и подчиняются опред...

 Использование: микроэлектроника. Изобретение относится к конструкции интегрального силового полупроводникового прибора - тиристора, проводящего в обратном направлении. В силовом тиристоре, проводящем в обратном направлении и содержащем зоны основного тиристора и диода, которые образуют две смежные области полупроводниковой структуры прибора и разделены между собой по своим смежным граница...

 Использование: в полупроводниковых приборах, а именно в полупроводниковых модулях, которые используют в системах управления электродвигателями промышленного и бытового назначения и в различных системах питания радиотехнических изделий. Сущность: полупроводниковый модуль включает заполненный герметиком на основе смолы корпус, содержащий крышку и основание в виде металлического фланца в фор...

 Использование: микроэлектроника, полупроводниковые приборы - симметричные тиристоры (ТС), представляющие собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом. Сущность изобретения: ТС включает в себя средний базовый n-слой, первый р-слой, который прилегает к среднему базовому n-слою сверху и содержит эмиттерный, управляющий...