КОНДРАШОВ ВЛАДИМИР ВЛАДИМИРОВИЧ

  Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов. Реактор содержит горизонтальную трубу с отверстием для подачи газа и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин и выпуска газа, а также съемную крышку с отверстием для выпуска газа. Цилиндрическая часть крышки вставляется коаксиально с зазором в выпускное отверстие трубы, причем перед зоной осажден...

  Использование: способ диффузии галлия в кремниевые пластины, в котором источником диффузанта служит триоксид галлия, методом открытой трубы, применяемый при изготовлении полупроводниковых приборов с диффузионной структурой п-р-птипа . Сущность изобретения: во время разгонки галлия проводят окисление поверхности кремниевой пластины в пэрах воды, после корректирующего легирования п...