Гулевич А.Н.

 Использование: микроэлектроника, производство СБИС. Сущность изобретения: обработку пластин проводят в двух реакционных камерах, а прибор спектрального контроля подключают к первой или второй камере в зависимости от значения выражения (tст + tз) (100 - R)V/100h + 2R/100 + R, где V - скорость травления проводящего слоя, нм/с; h - толщина проводящего слоя, нм;tст - время стабилизации разряд...

 Использование: микроэлектроника, формирование микрорисунка в рабочих слоях. Сущность изобретения: в способе сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур обработку слоя проводят в плазме ВЧ-разряда, в процессе обработки проводят контроль травления. Фиксируют момент вскрытия поверхности структуры по началу периода изменения первой производной интенсивности линии спектра...