РЕШЕТНИКОВ СЕРГЕЙ ЕВГЕНЬЕВИЧ

  Использование: в интегральных цифровых схемах на GaAs. Цель изобретения - увеличение частотного диапазона ИС в сторону низких частот. На подложке 1 из i GaAs расположен зпитаксиальный слой 2 n-типа проводимости с концентрацией примеси 10 см , на которой находятся контакты истока 3 и стока 4. Между ними расположен затвор в виде областей 5а-5б из G.aAs р-типа проводимости с концент...