ЧЕСНОКОВА ВАЛЕНТИНА ДМИТРИЕВНА

  Использование: приборы квантовой электроники, в качестве источника когерентного излучения. Сущность изобретения: на широкозонные полупроводниковые слои ри п-типа нанесены слои из материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью (ВТСП), причем ширина запрещенных зон материалов слоев активной области не превышает удвоенного значения ширины сверхпроводнико вой энергетической щели...