МАГОМЕДОВ МУРАД АЛИЕВИЧ

  Использование: может быть использовано при создании полупроводниковых приборов с потенциальным барьером. Сущность изобретения: осаждают CulnSe2 методом термического испарения на нагретую подложку, причем испарение проводят для получения слоя n-типа проводимости при температуре испарителя 980-1130°С и для получения слоя р-типа проводимости при 1140-1250°С, а темпер...