Нальникова З.А.

 Изобретение относится к фотоэлектронике. Сущность: после полировки на поверхности подложек выращивают анодный окисел, на который при температуре 100oC наносят пассивирующий диэлектрический слой с малым коэффициентом диффузии ртути толщиной не более 1000 А, проводят отжиг при температуре 100-200oC в течение времени, понижающего концентрацию электрически активных центров, и удаляют анодный...