Басиев Т.Т.

 Использование: изобретение относится к исследованию активных лазерных сред на основе кристаллов с центрами окраски. Сущность изобретения: сначала измеряют концентрацию исходных центров окраски, затем воздействуют световым излучением на образец до выхода в насыщение процессов фотоионизации, после чего измеряют изменение концентрации исходных центров окраски и концентрацию наведенных центро...

  Использование: квантовая электроника, а именно неодимсодержащие твердотельные технологические лазеры с пассивной модуляцией добротности. Сущность изобретения: устройство содержит закрепленные неподвижно на основании по ходу светового пучка глухое зеркало, пассивный лазерный затвор на кристалле LiF:F-2 , пропускающее концевое зеркало, два активных элемента и пропускающее выходное зеркало....

 Использование: в квантовой электронике для повышения мощности одномодового импульсно-периодического излучения ИАГ Nd-лазера с непрерывной накачкой и ресурса работы пассивного затвора на кристалле LiF F-2. Сущность изобретения: длину кристалла LiF F-2 выбирают равной l=P/, где P средняя мощность излучения лазера: пропускание выходного зеркала, определяемое из соотношения t=1 - To при To м...

 Использование: в приборах, в частности твердотельных лазерах и усилителях, генерирующих пико-фемтосекундные импульсы с возможностью последующего управления длительностью импульсов во внешнем компрессоре. Сущность изобретения: импульсный твердотельный лазер содержит резонатор, на оптической оси которого расположены нелинейный оптический элемент и активный элемент из кристаллического матери...

 Использование: в квантовой электронике для плавного изменения в широких пределах временных и энергетических параметров одномодового импульсно-периодического излучения Nd-лазеров. Сущность изобретения: устройство состоит из задающего генератора с пассивным лазерным затвором на кристалле LiF:F-2 и последующих каскадов усилителей. Кристалл LiF:F-2 установлен в резонаторе лазера с возможность...

 Использование: изобретение относится к лазерной технике и позволяет повысить мощность одномодового излучения твердотельного лазера, его пространственную яркость и длину когерентности. Сущность: устройство дополнительно снабжено по крайней мере еще одним генератором, при этом генераторы соединены в параллельную оптическую схему, а их излучение направлено вдоль одной линии с помощью выходно...

 Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к неодимсодержащим твердотельным технологическим лазерам с пассивной модуляцией добротности резонатора. Цель изобретения - осуществление регулировки частоты следования цугов импульсов выходного излучения. Сущность: в электрические цепи, состоящие из блоков питания постоянного тока и ламп накачки, введены сглаживающие фильтры, подключ...

 Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к неодимосодержащим твердотельным технологическим лазерам с пассивной модуляцией добротности резонатора. В лазерной системе, состоящей из активных элементов (8, 9), пассивного лазерного затвора (10), поворотные зеркала (4, 5, 6, 7) установлены с возможностью образования внутрирезонаторных петель излучения. В перекрестии этих петель р...

 Изобретение используется в квантовой электронике, в частности в лазерах на вынужденном комбинационном рассеянии (ВКР). Сущность изобретения: материал для ВКР-преобразования частоты лазерного излучения на основе монокристалла вольфрамата бария-стронция с составом (Ba1-хSrx)уWzO4, где 0x1; 0,997<y<1,003; 0,999<z<1,001. Технический результат изобретения: увеличение коэффициента В...

 Изобретение относится к лазерной технике и, в частности, к твердотельным лазерам и может быть использовано для получения мощного лазерного излучения в желтом спектральном диапазоне, в частности для возбуждения атомов натрия при создании адаптивных систем астрономических телескопов с коррекцией атмосферных искажений по искусственной натриевой звезде для целей астрономии. Твердотельный лазе...

 Изобретение относится к технологии лазерной обработки материалов и может найти применение в машиностроении для сварки изделий из металлов и сплавов, в частности алюминия и его сплавов. Для повышения качества сварного соединения удаляют поверхностный слой с одновременным формированием канала с боковыми стенками, покрытыми тонким слоем расплава. Это осуществляют воздействием модульного излу...

 Изобретение относится к технологии лазерной обработки материалов и может быть использовано в машиностроении, микроэлектронике и других областях промышленности для прошивки отверстий малого диаметра и большой глубины в изделиях из металлов, их сплавов, диэлектриках и других материалах. Возбуждают лазерное излучение в одном или более активных элементах. Осуществляют модуляцию добротности ре...