ТИЛЕВОВ САПАРГЕЛДЫ

  Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к структурам для производства приемников ИК-диапазона. Сущность: в структуре приемника ИК-излучения между подложкой и слоем рутила проводимости дополнительно введен слой р+-типа проводимости толщиной 0,1-1 мкм. 1 ил., 1 табл. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) (I I) (я)5 Н 01 L 31/108...