Паутов А.П.

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов с субмикронным затвором на GaAs. Сущность изобретения: перед формированием изоляции активных областей формируют омические контакты, осаждая слой Au - Ge толщиной 400 - 700 А. Изоляцию активных областей формируют путем создания фоторезистивной маски с рисунком областей, граничащих с каналом транзистора, и проведе...

  Использование: при изготовлении полевых транзисторов. Сущность: способ заключается в том, что на пластину арсенида галлия с активным слоем после создания фоторезистивной маски, формирования меза-структур анодным окислением, проведения анодного окисления меза-структур, удаления фоторезиста наносят слой SiO2, создают фоторезистивную маску с рисунком затворного слоя металлизации, из окон ко...