Мац И.Л.

  Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: на полупроводниковой подложке первого типа проводимости сформирован полупроводниковый слой второго типа проводимости. С помощью области первого типа проводимости, смыкающейся с подложкой, сформирована изолированная область, в которой расположены области истока, затвора, стока полевого транзистора. Исток выполнен в виде двух областей,...

  Использование: конструкции интегральных схем, содержащие биполярные транзисторы. Сущность изобретения: интегральная схема включает основной и защитный биполярные транзисторы одного типа проводимости, выполненные на полупроводниковой подложке. В эпитаксиальном слое сформированы области баз и эмиттеров основного и защитного транзисторов. Область коллектора является общей для транзисторов....

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: полевой транзистор включает элементы защиты, который выполнен из части подложки, непосредственно примыкающей к центральной части области истока и/или стока. 3 ил. Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (ТПУП). Цель изобретения уменьшение геометрических размеров...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: на полупроводниковой подложке первого типа проводимости сформирован полупроводниковый слой второго типа проводимости. Подложка содержит концентрацию примеси не менее, чем полупроводниковый слой на ней. С помощью области первого типа проводимости, смыкающейся с подложкой, сформирована изолированная область, в которой сформированы облас...