Хаханова М.И.
Изобретатель Хаханова М.И. является автором следующих патентов:

Способ изготовления полупроводниковых структур
Применение: относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления интегральных схем. Сущность: на поверхности полупроводниковой пластины формируют каналоограничительные области путем локального окисления, формируют плавающий затвор, обрабатывают структуру в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10, окисляют плавающий затвор, а затем формируют управляющи...
1813303