Нижникова Н.В.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении СБИС с двумя уровнями металлизации. В способе, включающем создание нижнего уровня разводки на основе алюминия на полупроводниковой пластине со сформированными активными областями, нанесение слоя межуровневого диэлектрика на основе двуокиси кремния, формирование на его поверхности маски для вскрытия контакт...