Балбуцкий С.В.

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления БИС и СБИС. Сущность изобретения: при формировании полупроводниковых структур со ступенчатым профилем островков поликристаллического кремния травление фоторезистивной маски проводят селективно по отношению к слою поликристаллического кремния, а конфигурацию маски изменяют путем образования уступа относительно края островка поликрист...