Чаусов В.Н.

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления БИС и СБИС. Сущность изобретения: при формировании полупроводниковых структур со ступенчатым профилем островков поликристаллического кремния травление фоторезистивной маски проводят селективно по отношению к слою поликристаллического кремния, а конфигурацию маски изменяют путем образования уступа относительно края островка поликрист...

 Использование: изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: на кремниевой подложке формируют боковую изоляцию биполярных транзисторов путем селективного окисления эпитаксиального слоя. После создания тонкого слоя диэлектрика на поверхности изолированных областей формируют область поликремниевого резистора требуемой конфигурации, пассивирующий сл...