Лукаш В.С.

 Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых эпитаксиальных структур фосфида индия со "стоп-слоями" осаждением из газовой фазы для изготовления диодов Ганна, полевых транзисторов, смесительных диодов. Способ позволяет упростить технологию выращивания структур со "стоп-слоями". Перед наращиванием рабочей структуры дополнительно вводят в парогазовую смесь поток треххлорист...

 Использование: в составе светосигнальной аппаратуры различного назначения. Сущность изобретения: источник света представляет собой гибридную монолитную интегральную схему, корпус которой состоит из типового лампового цоколя и оптически прозрачного световода. Кристаллы светодиодов закреплены на теплопроводящем кристаллодержателе, а диаграмма направленности излучения формируется встроенным...