Мигаль Н.Н.

 Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отл...