Державская Л.И.
Изобретатель Державская Л.И. является автором следующих патентов:

Способ сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур
Использование: микроэлектроника, формирование микрорисунка в рабочих слоях. Сущность изобретения: в способе сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур обработку слоя проводят в плазме ВЧ-разряда, в процессе обработки проводят контроль травления. Фиксируют момент вскрытия поверхности структуры по началу периода изменения первой производной интенсивности линии спектра...
1817617