Тюлягин В.Е.

  Использование: технология полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: при напайке кристалла на никелированную поверхность теплоотвода в вакууме нагрев сборки со скоростью 500 град/мин и откачку камеры начинают одновременно и осуществляют в течение 40-60 с. Охлаждение до 200-250°С осуществляют азотом, а до комнатной температуры - на атмосфере. Изобретение относится к области полупро...