Чарушкина Л.М.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при контроле дефектов слоев кремниевых структур. Предлагаемый способ заключается в том, что на диэлектрический слой, нанесенный на контролируемый нижний слой и вскрытый путем удаления верхних слоев структуры, дополнительно наносят планаризующий диэлектрический слой, коэффициент преломления которого составляет 0,8-1,2 от ко...