Дворников О.В.

  Использование: конструкции интегральных схем, содержащие биполярные транзисторы. Сущность изобретения: интегральная схема включает основной и защитный биполярные транзисторы одного типа проводимости, выполненные на полупроводниковой подложке. В эпитаксиальном слое сформированы области баз и эмиттеров основного и защитного транзисторов. Область коллектора является общей для транзисторов....

  Использование: проектирование аналоговых и аналого-цифровых базовых матричных кристаллов на основе биполярных транзисторов, обеспечивающих программируемость параметров для аналоговых схем. Сущность изобретения: по каждому из радиальных направлений расположены по одной эмиттерной области симметрично относительно центрально расположенной области. Между контактами к эмиттерным областям расп...