Пашенко Е.Б.
Изобретатель Пашенко Е.Б. является автором следующих патентов:
Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Изобретение относится к электронной технике и направлено на улучшение качества слоев за счет повышения концентрации носителей в них и повышения воспроизводимости их параметров, что достигается тем, что в способе получения эпитаксильных слоев арсенида галлия p-типа проводимости методом пиролиза металлорганических соединений галлия в среде водорода эпитаксиальное наращивание проводят в прис...
1820783