Полянская Т.М.
Изобретатель Полянская Т.М. является автором следующих патентов:
Комплексы -дикетоната бария с циклическими полиэфирами для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников
Использование: для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников. Сущность изобретения: продукт: аддукт бис(гексафторацетилацетоната)бария с 18-краун-6, Ba(C6HF6O2)2C12H24O6, выход 95%, т.возг. 163-180oC/1,0 - 610-3 Па. Аддукт бис(гексафторацетилацетоната)бария с 15-краун-5, Ba(C5HF6O2)2C10H20O5, БФ C30H22 BAl Fl2, O9, выход 90%, т. воз. 170-180oC/1,0-610-3 Па. Аддукт бис(пивалоил...
1822560