Астахова Н.А.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании быстродействующих интегральных схем. Сущность изобретения: способ включает нанесение металлической пленки на полупроводник, перед которым проводят очистку поверхности полупроводника плазмой тлеющего разряда при плотности тока разряда плазмы 0,08 - 0,12 мА/см2 в течение 2 - 6 мин, а после нанесения пленку облуч...