Евстишенкова В.Е.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкциям ИК-приемников с большим числом чувствительных элементов, охлаждаемых до криогенных температур. Многослойная система выводов фотоприемника выполнена на поверхности металлического держателя с фланцем, покрытой слоями диэлектрика. Внешний баллон выполнен из металла, поверх системы выводов последовательно размещены...