Мищенко Т.М.

 Использование: в полупроводниковой технике. Сущность изобретения: ширина запрещенной зоны фоточувствительного материала в направлении от освещаемой поверхности Z начинает изменяться на расстоянии, соответствующем глубине поглощения 50 - 80% Z0 излучения от ширины запрещенной зоны, соответствующей коротковолновому диапазону Eg1 работы фотоприемника, до ширины запрещенной зоны, соответствую...