ВЕНКОВ БОРИС ВАЛЕНТИНОВИЧ

  Использование: микроэлектроника, способ изготовления МОП-транзистора в производстве интегральных схем. Сущность изобретения: перед формированием диэлектрической маски формируют подзатворный окисел и наносят слой поликремния толщиной hi, после формирования диэлектрической маски проводят травление слоя поликремния толщиной hi до подзатворного окисла, формируют охранную область и по...