Губа С.К.

  Изобретение может быть использовано для получения многослойных гетероструктур на основе арсенида галлия, используемых при создании СВЧ-приборов. Сущность способа заключается в том, что буферный слой на подложке арсенида галлия формируют путем трех-четырехкратного последовательного наращивания нелегированных областей, каждая из которых состоит из двух подслоев с концентрацией глубоких уро...