Плахотная Л.С.
Изобретатель Плахотная Л.С. является автором следующих патентов:
![Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов шоттки Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов шоттки](/img/empty.gif)
Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов шоттки
Изобретение может быть использовано для получения многослойных гетероструктур на основе арсенида галлия, используемых при создании СВЧ-приборов. Сущность способа заключается в том, что буферный слой на подложке арсенида галлия формируют путем трех-четырехкратного последовательного наращивания нелегированных областей, каждая из которых состоит из двух подслоев с концентрацией глубоких уро...
1825234