Лабунов В.А.

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: на монокристаллическую кремниевую подложку осаждают поликристаллический кремний с размером зерна 10-2- 102 мкм и рекристаллизуют его с помощью импульсного лазерного излучения при длительности лазерного импульса 7-100 нс и плотности энергии лазерного излучения 2,7...