АГАЕВ ЗАКИР ФАХРАД ОГЛЫ

  Изобретение относится к измерению параметров полупроводников, а точнее измерению электропроводности полупроводников . Сущность изобретения: две части полупроводника с одинаковыми геометрическими размерами соединяют через слой диэлектрика толщиной 10-20 мкм. Теплопроводность диэлектрика близка к теплопроводности полупроводника. Части последовательно соединяют через два близлежащих...