Лопатина Т.П.

 Применение: изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к высоковольтным МДП-транзисторам. Сущность изобретения: высоковольтный МДП-транзистор содержит полупроводниковую подложку, исток, сток, диэлектрик затвора, затвор, электроды истока и стока, первую и вторую дрейфовые области и полевую плату. Полевая плата соединена с затвором. Введена вторая полевая плата, соединенная...