Рябцев А.М.
Изобретатель Рябцев А.М. является автором следующих патентов:
Источник ионов электрогидродинамического типа
Использование: микротехнология, ионная литография. Сущность изобретения: изобретение позволяет повысить стабильность характеристик ионного источника и увеличить срок его непрерывной работы. Источник содержит опорный высоковольтный изолятор (1), цилиндрическую стойку (2), управляющий электрод (3), фланец (4) с низковольтными электровводами (5), нагреватель (6), резервуар (7) с ионизуемым в...
1829746