Енишерлова К.Л.

 Изобретение служит для изготовления фотоприемников. Сущность: исходную кремниевую подложку p+-типа проводимости, легированную галлием, отжигают для получения на поверхности слоя р-типа. В случае проведения отжига в нейтральной или окислительной газовой среде при 1150 - 1230oС резкость p+-р-переходов выше, чем в случае отжига в вакууме при тех же температурах. Экспериментальным путем найде...